分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。光电即光敏二极管三极管及上述器件的组合管、二极管、三极或具有两个结的其他器件、具有四个有效电极或具有三个结的其他器件、依此类推。第二部分：日本电子工业协会注册标志。表示已在日本电子工业协会注册登记的半导体分立器件。第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。型高频管、型低频管、型高频管、型低。

频管、控制极可控硅、控制极可控硅、基极单结晶体管、沟道场效应管、沟道场效应管、双向可控硅。第四部分：用数字表示在日本电子工业协会登记的顺序号。两位以上的整数从开始，表示在日本电子工业协会登记的顺序号；不同的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。表示这一器件是原型号产品的改进产品。美国半导体。

分立器件型号命名方法三、美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：第一部分：用符号表示器件用途的类型。军级、特军级、超特军级、宇航级、无非军用品。第二部分：用数字表示结数目。二极管、三极管、三个结器件、个结器件。第三部分：美国电子工业协会注册标志。该器件已在美国电子工业协会注册登记。第四部分：美国电子工业协会登记。

顺序号。多位数字该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。第五部分：用字母表示器件分档。同一型号器件的不同档别。表示硅高频小功率开关三极管，军级、三极管、注册标志、登记顺序号、档。四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名。

方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：第一部分：用字母表示器件使用的材料。器件使用材料的禁带宽度如锗、器件使用材料的如硅、器件使用材料的如砷化镓、器件使用材料的如锑化铟、器件使用复合材料及光电池使用的材料第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。检波开关混频二极管、变容二极管、低频小功率三极管、低频大功率三极管、隧道二极管、高频小功。

率三极管、复合器件及其他器件、磁敏二极管、开放磁路中的霍尔元件、高频大功率三极管、封闭磁路中的霍尔元件、光敏器件、发光器件、小功率晶闸管、小功率开关管、大功率晶闸管、大功率开关管、倍增二极管、整流二极管、稳压二极管。第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字代表通用半导体器件的